发布时间：2010-12-14 阅读量：1215 来源: 发布人:
【中心议题】
【解决方案】
OLED具有自发光、低功耗、响应速度快、视角宽、分辨力高、宽温度特性、高亮度、高对比度、抗振性能好、耗等性能，并且抗弯曲能力强，非常适合作柔性显示器件。
OLED适用于对显示效果要求高的便携产品及军事等特殊领域。
技术原理
OLED是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件，由铟锡氧化物半导体薄膜（Indium Tin Oxides，ITO）透明电极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电极层组成。原理是用ITO和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子使发光分子激发，经过辐射发出可见光。OLED用红、蓝、绿像素并置法、转换法（Color Conversion Method，CCM）、白光加彩色滤光片法、微共振腔调色法和多层堆叠法来实现彩色化。
OLED显示屏驱动方式依驱动方式可分为被动式（Passive Matrix OLED，PMOLED）与主动式（Active MatrixOLED，AMOLED）。PMOLED是属于电流驱动，结构简单，驱动电流决定灰阶，应用在小尺寸产品上。AMOLED在每一个OLED单元（即像素）后面都有一组薄膜晶体管和电容器，形成一个薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）驱动网络，每一个像素都可以在控制芯片的操作下驱动TFT的激发像素点，这种方式能获得极速的响应时间而且省电，显示效果好，适合大屏幕全彩色OLED的需要。OLED按所使用的载流子传输层和发光层有机薄膜材料的不同，分为两种不同的技术类型：一种是以机染料和颜料为发光材料的小分子聚合物OLED，另一种是以共轭高分子为发光材料的PLED（高分子聚合物OLED）。目前研究表明，PLED十分适合用于柔性显示，采用Int-Jet（喷墨）印刷，涂布有机材料物质，不需薄膜制程、真空装置，元件构成只有2层，投资成本低，但是其喷墨技术的墨滴均一化及RGB三基色定位精度不易控制，影响全彩化产品进程，寿命与产品良率也有待提高。
研发进展
1987年由柯达公司科学家邓青云博士发表以真空蒸镀法制成多层式结构的OLED器件后，其低工作电压与高亮度的商业应用潜力吸引了全世界的目光，美国、日本、韩国等国的大公司纷纷投资加入OLED的研究行列。
1989年剑桥大学Cavendish实验室发现了在某些聚合物中通过电流会激发出光，这就是高分子OLED的工作原理。1992年，剑桥显示技术公司（Cambridge Display Technology，CDT）成立，开始研究这项发现，并获得了基础知识产权。CDT在PLED研究中取得的另一个重要的革新是采用喷墨印刷（Ink-Jet Print）的方式，将发射出光的聚合物印刷在玻璃或塑料上来制成PLED显示器。这一革新提供了一种低成本的彩色显示器制作方法，不但为PLED的产业化提供了可能，还使它可以以柔软的塑料作为基底层，甚至可以是在一个不平整的表面上。目前从事PLED研究的公司有：Philips、Toshiba-Matsushita显示器、DuPont、Microemissive显示器、Samsung SDI和Seiko-Epson等。国内从事高分子OLED研究的单位还比较少，中国科学院化学研究所、复旦大学、华南理工大学已取得了这方面研究的一些专利。高分子OLED技术领导商CDT采取较开放的专利授权态度，降低投入厂商门槛和成本。
2008年5月“SID”展会上，索尼称已经开发出首款基于柔性塑料基底的、全彩色的有源矩阵OLED显示器。索尼采用了C22H14并五苯材料来制造迁移率为0.1 cm2/Vs的有机晶体管。其原型为120×160像素、8位灰阶的2.5 in显示器，可以显示全部的1 680万色，电极
装在有机TFT层前面，不会损坏半导体层。UniversalDisplay公司声明他所开发的业界最薄柔性的活动矩阵式OLED（AMOLED）显示屏原型机面世将指日可待。从Universal Display公司和Kyung Hee大学金江教授的合作结果来看，该公司的研究演示了其意义深远的柔性度提高，以及当内置超薄金属铂片基底后AMOLED的韧性。
2008年12月台湾工业技术研究院展示厚度仅为0.2 cm、弯曲半径＜1.5 cm、亮度达100 cd/m2、分辨力为320×240柔性主动式OLED面板，在任意卷曲弯折过程中，动画仍能持续播映；三星展示了2.2 in AMOLED显示屏，厚度0.52 mm、分辨力320×240、色彩262K、对比度10 000∶1，在200 cd/m2的亮度下可以使用长达50 000 h。
下一步研究方向
尽管柔性OLED器件自身具备很多优势，而且柔性OLED器件在材料寿命、驱动、亮度、彩色化和柔性等方面均有较大的进展，但其产业化进程低，其原因主要是寿命问题和高效率问题还未彻底解决。而要解决这些问题，还需靠在器件结构的设计与材料合成、实验条件设计与加工、驱动与封装技术等多方面的共同努力。对于OLED的基础研究主要集中在提高器件的效率和寿命等性能以及寻找新的、改进的材料上。
随着大模型训练与推理需求激增，AI芯片单卡算力持续攀升，高功耗带来的高温升问题已成为制约技术发展的关键瓶颈。实验数据表明，当芯片工作温度接近70-80℃时，温度每升高10℃，其性能将骤降约50%。传统风冷及均温板（VC）技术依赖被动式相变散热，受限于二维平面导热模式，已无法满足高功率密度设备的散热需求。在此背景下，液冷技术凭借主动循环冷却液的特性展现出革命性优势——液体导热能力是空气的25倍，体积比热容高达空气的1000-3500倍，对流换热系数可达空气的10-40倍。而在液冷系统的核心组件中，压电微泵因其响应快易控制易集成的特性备受关注，却长期受困于驱动电压高控制精度低等技术难题。南芯科技最新推出的SC3601压电驱动芯片，正是瞄准这一技术空白，以190Vpp驱动电压和突破性能效表现，为移动智能终端散热带来全新解决方案。
半导体清洗设备龙头盛美上海（688082）近期披露的机构调研显示，公司产能利用率持续饱和，第三季度订单已全部排满，第四季度订单即将满载，业务能见度覆盖2025全年。这一强劲需求得益于全球半导体行业的复苏及公司在细分领域的差异化技术壁垒。2024年公司实现营业收入56.18亿元，同比增长26.65%；2025年第一季度归母净利润达2.46亿元，同比增幅约200%，显著高于行业平均水平。
近期全球DRAM市场经历剧烈波动，DDR4现货价格出现近十年最大涨幅。2025年6月13日，DDR4 8Gb（512M×16）单日暴涨7.99%，16Gb（1G×16）涨幅达7.9%；截至6月17日，DDR4 16Gb现货价再涨6.32%至9.25美元，4Gb规格更单日飙涨8.77%。近三个交易日累计涨幅突破20%，二季度以来部分规格涨幅超130%。这一异常波动直接触发产业链抢货潮，深圳华强北经销商反馈“每日报价跳涨，现货一票难求”。
根据最新行业报道，英特尔公司正计划在其核心制造业务部门实施大规模裁员，预计削减工厂工人的比例高达20%。这一举措旨在缓解公司当前的财务压力和市场挑战，反映出芯片行业竞争的日益激烈。英特尔制造副总裁纳加·钱德拉塞卡兰在近期致员工的内部信中强调，裁员是应对承受能力不足和财务状况的必要手段，尽管这将带来不可避免的痛苦。公司目标是在全球范围内裁减15%至20%的工厂工人，主要裁减动作将于7月启动，相关通知已在上周正式下发。
Teledyne e2v最新推出的三款航天级工业CMOS传感器（Ruby 1.3M USVEmerald Gen2 12M USVEmerald 67M USV），分辨率覆盖130万至6700万像素，均通过Delta空间认证及辐射测试。这些传感器在法国格勒诺布尔和西班牙塞维利亚设计制造，专为极端太空环境优化，适用于地球观测卫星恒星敏感器宇航服摄像机及深空探测设备。产品提供U1（类欧空局ESCC9020标准）和U3（NASA Class 3）两种航天级筛选流程，并附辐射测试报告与批次认证。
