发布时间：2010-12-3 阅读量：2076 来源: 发布人:
逆变器即将成为一个新的市场增长点。由于逆变器设计的好坏对能效和电网质量有直接的影响，因此逆变器的成功设计就显得非常重要。本刊特别邀请到了英飞凌科技(中国)有限公司工业及多元化电子市场事业部销售及业务开发高级总监石敬岩先生为大家谈谈逆变器市场的前景和开发风险。
风能和太阳能等可再生能源发电市场的发展正在推动分布式发电市场的形成，由于电能是无法储存的，因此风能或能发出来的电必须通过逆变器并到国家电网或自用。由此可见，逆变器即将成为一个新的市场增长点。此外，由于逆变器设计的好坏对能效和电网质量有直接的影响，因此逆变器的设计技巧也很受业界关注。针对这一市场需求，本刊特别邀请到了英飞凌科技(中国)有限公司工业及多元化电子市场事业部销售及业务开发高级总监石敬岩先生为大家谈谈逆变器市场的前景和开发风险。
问：今年中国逆变器市场前景如何？
答：我们已经注意到中国风力发电的发展速度，从600KW到1.5MW、2.0MW花了短短的数年时间，目前2.5MW和3.6MW 也正在开发中。 但我们也看到在整个供应链中逆变器还是个瓶颈，随着中国国内设计生产的逆变器日益成熟，市场份额会明显增加。
我更看好未来几年中大功率太阳能逆变器在中国的应用， 这有市场和政策的因素，中国目前主要发展的是中大功率太阳能发电系统，金太阳示范工程财政补助资金管理暂行办法规定，单个项目装机容量不低于300kWp。
问：家用逆变器的设计挑战或风险是什么？
答： 由于风能是一种非常不稳定的能源，风力发电机输出的电压、频率和功率都很不稳定，不做处理不能直接输入电网。以比较容易理解的直驱为例，风机的叶片带动发电机旋转，发电机发出频率往往不到电网频率的一半，其不能直接挂到电网上，需要用逆变器重新产生一稳频稳压的交流电，这就需要用高压大电流的IGBT模块。
目前主流机型功率是1.5MW和2.0MW，也在向更高功率发展，2.5-3.6MW机型已有商业化运行，如上海东海大桥的海上风电功率达到3.6MW。
由于风电系统的需求把功率变流器输出功率提到了一个新高度，这就需要新的功率半导体技术和模块封装技术来降低变流器损耗，提高效率，实现更高的功率密度。
目前国内外已有不少太阳能逆变器生产厂商，产品也日趋成熟，高能效的功率变换技术不断引入，新一代的IGBT、IGBT模块、MOSFET和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。
在中小功率的太阳能逆变器中不少公司拥有自己的专利电路结构，新一代功率器件使得这些电路如虎添翼，效率和可靠性等各方面性能都有了很大提高。而随着单机功率增大，太阳能逆变器受技术和器件限制，电路形式就比较单一，主要还是三相逆变桥，提高能源效率的重任就落在了功率器件上，其器件本身的性能和设计使用是关键。
英飞凌科技(中国)有限公司工业及多元化电子市场事业部销售及业务开发高级总监石敬岩
问：开发逆变器需要哪些关键元器件？
答：逆变器中根据不同功率会采用IGBT、IGBT模块、MOSFET和高速二极管作为功率变换的主要器件，它们实现高效率大功率变换的核心。
在风电变流器中会采用各种解决方案，如大电流模块IHM，其最大电流可达3600A 1700V；在EconoPack+和EconoDUAL3封装中有450A 1700V不同电路结构的模块，在这些封装中都有适用于风电的第四代IGBT4的产品。新的模块封装形式如PrimePack也成了风电变流器市场的新宠，这些新技术的应用会使得风电变流器的可靠性和寿命会提高，成本也会降低。
提高中大功率太阳能发电系统能源效率，逆变器是一个重要环节，它是保证太阳能转换效率和投资回报的关键因素。
国内外已有不少太阳能逆变器生产厂商，产品也日趋成熟，高能效的功率变换技术不断引入，新一代的IGBT、IGBT模块、MOSFET和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。
问：这些困难应如何解决？
答：先以风电变流器为例，其功率相对于通用变频器要大得多，这使得对功率电路设计要求更高，不能光靠经验，计算和验证要更精确，这不光是成本问题，也与可靠性密切相关。我们会致力于新技术新产品在风电市场中的推广，加强技术支持，帮助国内变流器厂商开发出基于IGBT模块的高可靠性、低成本产品。
除了为风电市场提供IGBT产品，我们也有功能完善的系统组件STACK产品，包括IGBT模块、驱动保护、滤波电容、直流母线、散热器等逆变器功率单元的一切。客户只要设计控制板一个完整的逆变器就完成了。我们成功地把这一产品引进到中国，使得国内风电厂商自主逆变器开发速度大大提高，解决了风电供应链上最大的瓶颈。
对于中小功率太阳能和风电逆变器，IGBT单管、CoolMOS和碳化硅二极管是很好的选择，如CoolMOS C3 已推出900V系列，可用于最大功率点跟踪MPPT电路；HighSeed3 IGBT以低的开关损耗带来DC/DC变换器和逆变器的高效率，碳化硅二极管与CoolMOS和Highspeed3 IGBT结合更能显现高速器件低损耗的优势。
我们明白，在目前的技术条件下，中大功率太阳能逆变器性能提高更依赖于功率开关器件，我们为太阳能应用开发一系列产品， 如大功率三电平模块Easy和Econo4系列，产品范围50~300A 650V；采用高速IGBT和碳化硅二极管PrimePACK模块，规格为600A 1200V，这推动100KW以上的太阳能逆变器效率达到了一个新的水平。
问：英飞凌解决方案的独特优势是？
答：我们在工业半导体领域拥有近60年的丰富经验，并在多个核心应用领域确立了技术领先地位。我们拥有涵盖整个电力/能源管理领域的尖端技术与专利，因此我们常被众多工业领域的客户视为首选业务伙伴。同时，我们所拥有的精深的专业技术以及丰富的行业知识，也是我们获取成功的坚实后盾。
英飞凌的功率器件(如构槽栅场终止技术 FieldStop IGBT、CoolMOS和碳化硅二极管SiC)在高能效的太阳能逆变器有出色的表现，另外还有单片机和其它功率管理芯片。
随着大模型训练与推理需求激增，AI芯片单卡算力持续攀升，高功耗带来的高温升问题已成为制约技术发展的关键瓶颈。实验数据表明，当芯片工作温度接近70-80℃时，温度每升高10℃，其性能将骤降约50%。传统风冷及均温板（VC）技术依赖被动式相变散热，受限于二维平面导热模式，已无法满足高功率密度设备的散热需求。在此背景下，液冷技术凭借主动循环冷却液的特性展现出革命性优势——液体导热能力是空气的25倍，体积比热容高达空气的1000-3500倍，对流换热系数可达空气的10-40倍。而在液冷系统的核心组件中，压电微泵因其响应快易控制易集成的特性备受关注，却长期受困于驱动电压高控制精度低等技术难题。南芯科技最新推出的SC3601压电驱动芯片，正是瞄准这一技术空白，以190Vpp驱动电压和突破性能效表现，为移动智能终端散热带来全新解决方案。
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近期全球DRAM市场经历剧烈波动，DDR4现货价格出现近十年最大涨幅。2025年6月13日，DDR4 8Gb（512M×16）单日暴涨7.99%，16Gb（1G×16）涨幅达7.9%；截至6月17日，DDR4 16Gb现货价再涨6.32%至9.25美元，4Gb规格更单日飙涨8.77%。近三个交易日累计涨幅突破20%，二季度以来部分规格涨幅超130%。这一异常波动直接触发产业链抢货潮，深圳华强北经销商反馈“每日报价跳涨，现货一票难求”。
根据最新行业报道，英特尔公司正计划在其核心制造业务部门实施大规模裁员，预计削减工厂工人的比例高达20%。这一举措旨在缓解公司当前的财务压力和市场挑战，反映出芯片行业竞争的日益激烈。英特尔制造副总裁纳加·钱德拉塞卡兰在近期致员工的内部信中强调，裁员是应对承受能力不足和财务状况的必要手段，尽管这将带来不可避免的痛苦。公司目标是在全球范围内裁减15%至20%的工厂工人，主要裁减动作将于7月启动，相关通知已在上周正式下发。
Teledyne e2v最新推出的三款航天级工业CMOS传感器（Ruby 1.3M USVEmerald Gen2 12M USVEmerald 67M USV），分辨率覆盖130万至6700万像素，均通过Delta空间认证及辐射测试。这些传感器在法国格勒诺布尔和西班牙塞维利亚设计制造，专为极端太空环境优化，适用于地球观测卫星恒星敏感器宇航服摄像机及深空探测设备。产品提供U1（类欧空局ESCC9020标准）和U3（NASA Class 3）两种航天级筛选流程，并附辐射测试报告与批次认证。
