离线式LED驱动器参考设计

发布时间:2010-11-13 阅读量:890 来源: 发布人:

离线式LED驱动器的中心议题:
    * 以400mA电流驱动27只WLED (白光LED)或6只琥珀色LED

摘要:

该应用笔记介绍了400VDC输入、非隔离型LED驱动器的参考设计。该设计能够以400mA电流驱动27只串联WLED (白光LED)或6只琥珀色LED。采用变压器构建成非连续、反激模式拓扑。电路采用MAX16801 HB (高亮度) LED控制器。

电路简介

本参考设计为离线式(400VDC)、反激LED驱动器。该设计能够以400mA电流驱动27只WLED (白光LED)。安装跳线J1后,能够以400mA电流驱动6只琥珀色LED。设计采用MAX16801 HB LED控制器和三绕组变压器(耦合线圈)。由于电流检测信号直接馈入IC控制环路,所以采用的是非隔离架构。

变压器匝数比为18:6:1,初级电感为800µH,额定电流为750mA (峰值),占空比始终小于50%。

工作频率固定为265kHz,不可调。提供120V过压保护(不闭锁),UV检测电平为310V。启动延迟时间大约为43ms,之后,VIN电压上升到大约22V,IC开始驱动外部MOSFET。这将使VIN的电容电压衰减,直到绕组自举电压能够支持器件的供电。由于LED在低压时处于高阻态,次级绕组的主要负载只是输出电容。次级到第三绕组的匝数比是6:1,这意味着一旦输出电容的电压达到60V,自举绕组将为IC提供10V电源。对于6只LED串联的应用(安装J1),输出电容必须在IC获得10V供电之前充电到10.7V。

在电感绕组初级的峰值电流为750mA,将初级绕组分开,使次级绕组处于二者之间,能够使变压器漏感降至最小。测量到的变压器初级绕组漏感小于5µH。如此小的数值无需采用特殊处理来消除漏感能量;所有泄漏能量消耗在MOSFET上,变压器温升低于30°C。

开关MOSFET具有隔离层,将其接地有助于散热,能够减小承受高速瞬变电压的覆铜面积,从而降低EMI辐射。MOSFET的温升不到40°C。

VIN: 400VDC ±10%
PWM: N/A
VLED配置: 27只LED (2.8VDC至4VDC)串联(75.6VDC最小值至108VDC最大值);400mA
安装跳线:6只LED (2VDC至3VDC)串联(12V最小值至18V最大值);400mA


查看详细图片(PDF, 35.6kB)
图1. LED驱动器参考设计,1.9英寸 x 3.9英寸,双层板。


图2. LED驱动器参考设计原理图


查看详细图片(PDF, 36.88kB)
图3. LED驱动器电路板布局


查看详细图片(PDF, 88.75kB)
图4. 变压器规格


查看详细图片(PDF, 76.43kB)
图5. 参考设计BOM
 

相关资讯
英伟达携Arm架构AI芯片进军PC市场,游戏本市场或迎技术革命

据The Verge等多家权威媒体报道,英伟达(NVIDIA)正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器,预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构,首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发,目标直指高性能游戏本市场。

纳芯微NSD2622N:专为高压GaN而生的高集成驱动芯片,破解系统设计难题

纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓(E-mode GaN)功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路(可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压)与高可靠性电容隔离技术,完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流,显著简化了系统设计,提升了电源效率和可靠性,为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。

光伏组件旁路保护的技术革新:华润微TMBS 180mil G2深度解析

在“双碳”目标驱动下,光伏组件功率持续提升(2025年主流组件功率突破700W),对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群(PDBG)基于肖特基二极管领域的技术积累,推出第二代180mil TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)器件。该产品通过优化正向压降(VF)、反向漏电流(IR) 及高温工作特性,解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点,目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。

移动AI大洗牌:三星联手Perplexity剑指谷歌霸主地位

全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示,该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段,计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。

2025年Q1全球DRAM市场深度解析:技术迭代引发厂商格局重构

据TrendForce集邦咨询统计,2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元,较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动:一是标准型DRAM合约价持续走低,二是高带宽内存(HBM)出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期,三大原厂制程升级导致产能结构性调整,为二线厂商创造了新的市场机遇。