汽车电子保护电路设计

发布时间:2010-10-28 阅读量:1711 来源: 发布人:

中心议题:
    * 无源保护电路
    * 屏蔽敏感电路
    * 免受变化不定的12V汽车系统的影响
    * 电池反向保护
解决方案:
    * LT1641在输入低于9V时断开负载
    * 在首次加电时对负载实行软启动


车环境对电子产品而言是非常苛刻的:任何连接到12V电源上的电路都必须工作在9V至16V的标称电压范围内,其它需要迫切应对的问题包括负载突 降、冷车发动、电池反向、双电池助推、尖峰信号、噪声和极宽的温度范围。在负载突降时,交流发电机的输出电压迅速升高到60V或更高的电压;冷车发动指的 是在低温时起动汽车,这会引起电池电压下降至6V或更低;电池反向是在激活一个没电的电池时,由于粗心地将电缆极性接反造成的。很多牵引车都配备两个串联 起来的 12V电池,以在寒冷的天气中帮助起动一个电池没电的汽车。这将使电气系统的电压范围提高到了28V,直到汽车起动且牵引车司机断开跨接电缆为止。

考虑到汽车电气系统由大电流电动机、继电器、螺线管、车灯和不断颤动的开关触点组成,因此出现尖峰信号和噪声就一点也不奇怪了。另外,交流发电机是 采用斩波励磁调整的三相电机,有时会以非常大的电流对电池充电。因此,对于工作在汽车环境中的电路设计来说,尤其是需要适应在负载突降和双电池助推情况下 产生的高输入电压电路。

无源保护电路

用于汽车电子产品的无源保护网络如图1所示。

以简单性为特点的无源保护网络
与此相同或类似的电路广泛用于保护与汽车 12V 总线连接的各种系统。这种网络防止高压尖峰、持续过压、电池反向和电流过度消耗造成损害。图1的电流保护作用很明显,如果负载电流超过1A的时间很长,保 险丝F1就会熔化。D1与F1结合防止电池反向连接造成损害,大电流流经正向偏置的D1并烧断保险丝。电解电容器大约在额定电压的150%时有一个有趣的 特性:随着终端电压的提高,这种电容消耗的电流也越来越大,就C1而言,它在输入持续升高时起箝位作用(最终烧断保险丝)。双电池助推时的电压为28V左 右,这不会烧断保险丝,因为C1 25V的额定值足够高,额外消耗的电流很少。电感器增加了很小的电阻,以限制峰值故障电流以及输入瞬态的转换率,从而在存在尖峰时帮助C1实现箝位。

无源网络的主要缺点是它依靠烧断保险丝来防止过流、过压和电池反向造成损害。另一个缺点是,它依靠电解电容实现箝位。这种电容器老化以后,电解质会 变干,等效串联电阻(ESR)提高的特性也就消失了,这会损害箝位效果。有时D1采用大的齐纳二极管以帮助这个电容器发挥作用。人们已经设计出了有源电路 来克服这些缺点。

有源电路
有源解决方案
图2显示了一个有源解决方案,该方案用于屏蔽敏感电路,使其免受变化不定的12V汽车系统的影响。采用LT1641来驱动输入N沟道MOSFET,而上述 提供无源解决方案就不具备这种附加保护:首先,LT1641在输入低于9V时断开负载,以防在低输入电压时系统失灵,并在起动时或充电系统出现故障时,减 少系统向非关键负载提供宝贵的电流的机会;其次,LT1641在首次加电时逐渐升高输出电压,对负载实行软启动;第三,通过限流和定时断路器保护输出免受 过载和短路影响。如果发生电流故障,断路器就以1至2Hz的速率自动重新尝试建立连接,可以设定保护电路上行线路保险丝的容限,让它在LT1641的下行 线路出现电流故障时不熔化;最后,图2所示电路隔离出现在输入端的过压状态,同时提供箝位输出,以便负载电路在出现过压时能继续正常工作。

在12V输入的通常情况下,LT1641将MOSFET的栅极充电至大约20V以充分提升MOSFET的电压,并向负载提供电源。27V齐纳二极管 D1的两端分别连接栅极与地,但是在9至16V的工作电压范围内不起作用。当输入升高到超过16V时,LT1641继续给MOSFET的栅极充电,试图保 持 MOSFET完全接通。如果输入升得太高,齐纳二极管就会对MOSFET的栅极箝位,并将输出电压限制在大约24V。LT1641本身在其输入端能够处理 高达100V的电压,而且不受栅极箝位动作的影响。栅极箝位电路比无源解决方案的箝位电路精确得多,而且简单地通过选择一个具有合适击穿电压的D1,就可 以轻松调整栅极箝位电路以满足负载要求。

图2所示电路在负载电流高达1A左右时工作得很好,但是就更高的负载电流而言,推荐使用图3所示电路来防止MOSFET过度消耗功率。如果过压状态 持续存在,如电气系统由两个串联电池供电的时间超过通常所需时间,或负载突降后电流慢速上升以及MOSFET较小时,那么过度消耗功率是有风险的。输出由 D1和 D2取样,如果输入超过16.7V,那么就向“SENSE”引脚反馈一个信号,以将输出稳定在16.7V。这里的调节比图1所示电路的调节更精确,并且可 以通过选择合适的齐纳二极管轻松定制,以满足负载的需求。


总的功耗由“TIMER”引脚限制,这个引脚记录MOSFET调节输出所用的总时长。如果过压状态持续超过15ms,那么LT1641就停机并允许 MOSFET停止输出调节。在大约半秒钟以后,该电路尝试重新启动。这种重启周期一直持续,直到过压状态消失并恢复正常工作为止。处理过流故障的方法与图 2描述的方法相同。

 

电池反向保护

简单地增加一个串联二极管,就可以给图2或图3所示电路增加电池反向保护功能
电路增加电池反向保护功能
在大多数情况下,采用普通p-n二极管就可以,如果正向压降很重要,可以选择肖特基二极管。在隔离二极管中的功耗不可接受的关键应用中,图4所示的简单电路就可以解决这个问题。
电池反向保护
在正常工作情况下,MOSFET Q2的体二极管正向偏置,并传送功率至LT1641。LT1641接通时,Q2栅极获得驱动,从而完全接通。如果输入反向,那么Q3的射极就被拉低至低于 地电平,Q3接通,从而将Q2的栅极拉低并保持其接近Q2的源极电平。在这种情况下,Q2保持断开状态,并隔离反向输入,使其不能到达LT1641和负载 电路。微安级电流流经1MΩ电阻,到达LT1641的“GATE”引脚。

高压LDO,可延长电池寿命;LDO用作电压限幅器

最高输入电压额定值为25V或更低的降压稳压器(如LT1616)一般不考虑用于汽车应用。然而,如果与 LT3012B/LT3013B等低压差(LDO)线性稳压器结合使用,在输入电压上的缺点就可以轻松克服。这种尺寸小、效率高的组合如图5所示,可以在 汽车环境中提供3.3V输出。
LT3013B用做电压限幅器
LT3013B拥有4V至80V的宽输入电压范围,并集成了电池反向保护功能,无需特殊电压限制或箝位电路,因此节省了成本和电路板面积。在以适中的负载 电流工作时,LDO稳压器的效率近似等于VOUT/VIN。如果VOUT比VIN低得多,那么LDO的效率就会下降。例如,将12V输入降至3.3V输出 时,效率仅为28%。

在图5中,通过让LT3013B在正常输入电压范围内以低压差方式工作实现更高的效率。在这种情况下,LT3013B的输出电压设定为24V。该 LDO的输出电压仅比VIN低400mV,它以97%的效率为LT1616降压型稳压器供电,而且电压恰好在正常工作电压范围的中间。在负载突降情况 下,VIN可能迅速升至高达80V,但是在VIN超过24.4V时,LT3013B将调整它的输出,并将其有效地“限制”在24V,这刚好在LT1616 开关的额定电压范围内。如果VIN上升至高于24.4V,该LDO的效率会下降,但是这种情况持续时间很短,不会产生什么不良后果。

LT1616将LT3013B受到限制的输出转换为3.3V。在12V输入时,该开关的效率大约为80%。在冷车发动时,汽车的电压可能降低至 5V。在这种情况下,LT1616的输入电压为4.6V,恰好处于它的工作电压范围之内。LT3013B LDO稳压器与LT1616开关结合,在不牺牲效率的前提下,可在12V汽车电气系统典型的宽工作电压范围内提供稳定的3.3V输出。

一个集成度更高的解决方案是LT3437。LT3437是一个200kHz的单片降压型稳压器,它的输入电压范围为3.3V至80V。其在无负载时 的 100uA低静态电流是今天始终保持接通系统所必需的。可以在LT3437的输入端串联一个低成本的二极管以提供电池反向保护。

相关资讯
“中国芯”逆袭时刻:新唐携7大新品打造全场景AIoT解决方案矩阵

在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天,新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日,这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮,以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题,汇聚全球顶尖行业领袖,首次公开七大核心产品矩阵,展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力,为半导体产业转型升级注入新动能。

半导体先进制程技术博弈:台积电、英特尔与三星的差异化路径

在2025年北美技术研讨会上,台积电正式宣布其A14(1.4nm)工艺将于2028年量产,并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后,折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。

嵌入式主板EMB-3128:轻量级边缘计算的工业级解决方案

随着AIoT技术的快速落地,智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板,搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器,以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置,成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境,可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景,助力产业智能化升级。

从ASMI财报看行业趋势:AI芯片需求爆发如何重塑半导体设备市场?

作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业,荷兰ASM国际(ASMI)近日发布2024年第一季度财报,展现强劲增长动能。财报显示,公司当季新增订单额达8.34亿欧元(按固定汇率计算),同比增长14%,显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破,同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。

车规级SerDes国产替代提速:解析纳芯微NLS9116/NLS9246技术优势与市场潜力

随着汽车智能化加速,车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增,数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议(如TI的FPD-Link、ADI的GMSL)垄断车载SerDes市场,导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月,纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组(NLS9116加串器与NLS9246解串器),通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控,为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案,标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。