一种升压型PFM控制DC/DC转换器

发布时间:2010-10-15 阅读量:1151 来源: 发布人:

中心议题:
DC/DC转换器

解决方案:
PFM控制电路的实现

引言

各种由电池供电的电子产品,如手提电脑、手机、数码相机、PDA等的电源管理系统都需要DC/DC转换器,因此,DC/Dc转换器的应用越来越广泛。它的实现及控制方式也多种多样,但输出精度、转换效率、启动电压等是DC/DC转换器中的核心问题。本文介绍了一款结构简单、功能完备、输出精度高、功耗低的升压型PFM控制DC,DC转换器。升压型DC/DC转换器结构功能框图和工作原理从传统升压型DC/DC转换器的结构和工作原理可以看出,其核心问题是驱动电路对开关晶体管M的控制,本文提出了一种升压型PFM控制DC/DC转换器,采用内置的MOSFET作为开关管,包括基准电压源、误差比较器、运放、PFM控制电路、MOSFET限流保护电路、使能控制、电压采样等单元电路,如图1所示。

基本工作原理为:当外部输入电压VOUT≥0.9V时,转换器开始正常工作,电路内部产生一个基准电压,这个电压与外部实际输出反馈回来的电压经过误差放大,输出的值控制PFM电路。当输出电压低于额定值时,误差放大器CM输出高电平,PFM控制电路正常工作,产生一个脉冲信号控制大功率MOS管M不断导通和截止,使输出电压上升。随着输出电压不断上升,超过额定值时,误差放大器的输出发生跳转,变为低电平,控制PFM电路停振,使输出电压保持恒定。当对外提供负载,输出电压低于额定值时,误差放大器的输出又发生跳转,恢复为高电平,控制PFM电路恢复正常工作,产生脉冲信号控制M不断导通和截止,重复开始的过程,从而实现了在DC/Dc转换器稳定工作时,输出电压保持在额定值。其中,利用运放OM输出对PFM电路的控制,可以根据负载大小自动地切换占空比系数(轻负载时占空比为58%,高负载时占空比为76%),使转换器在轻负载情况下减小了动态功耗,提高了转换效率。

PFM控制电路的实现

PFM控制电路是由有多个使能端控制的振荡器组成的,如图2所示。其中,EN1为误差放大器CM的输出,EN 2为运放OM的输出。protect为过流保护的输出,当M电流超过预定值时,protect控制振荡器停振,使M断路,防止损坏。

  PFM控制电路模拟结果

  PFM控制电路在模拟时,输出电压VOUT的额定值取典型输出值3.3V,模拟结果如图3所示。

  从模拟结果可以看出,此PFM控制电路的实现方式在轻负载下,可以有效降低转换器的损耗,提高运行效率。

应用电路和仿真结果

应用电路

此转换器的外围元件很少,只有一个二极管、一个电感、两个电容,应用电路如图4所示。

功能框图

在正常工作情况下,当输入电压在0.9V~2.4V之间变化时,输出电压可以保持在1.8V~6.5V之间的任意值,实现了升压DC/DC转换。

模拟仿真结果

此DC/DC转换器在低电压0.9V下就可以正常工作;典型的输入/输出值为:VIN=2.4V,VOUT=3.3V,模拟结果如图5、图6所示。

模拟结果

从模拟结果可以看出,当负载变化时,DC/DC转换器的输出电压波动范围为±8mV,输出电压精度达到±0.3%;而传统升压型PFM控制DC/Dc转换器的输入电压一般都是大于1.2V时才可以稳定工作,输出电压波动范围一般为±50mY,输出电压精度约为±2%。可见,本文所设计的升压型PFM控制DC/DC转换器是一款低电压、可稳定工作,且输出纹波很低、输出电压精度很高的DC/DC转换器。

结语

本文设计的升压PFM控制DC/DC转换器稳定工作时,在大范围内具有高的转换效率、低的输出纹波和高的输出电压精度,且结构简单、功耗低,是一种具有较大使用价值的DC/DC转换器。

相关资讯
三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。

苹果获智能眼镜模块化专利 液态玻璃技术革新可穿戴设备未来

美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利(编号:US 11,985,623 B2),揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"(Securement Arms)创新结构,解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸,采用自适应力学分配系统,将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域,有效降低鼻托70%以上压力负荷。

激光二极管驱动存储革命:索尼半导体与西部数据联手拓展HAMR硬盘市场

日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作,索尼将为西部数据下一代HAMR(热辅助磁记录)硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求,此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元(约合3200万美元)在泰国工厂新建生产线,预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。

TP-Link芯片业务战略收缩:WiFi 7研发受阻与全球合规挑战

2025年6月12日,TP-Link外销主体联洲国际(TP-Link Systems)位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员,从通知到离职手续仅用半天完成,涉及算法、验证、设计等核心岗位员工,仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案,远高于中国法定的N+1标准,被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出,此次调整主要针对WiFi前端模块(FEM) 研发线,而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件,其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。

DDR4内存现十年罕见价格倒挂,产业链急备货应对停产危机

2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动,DDR4内存现货价格单日暴涨近8%,创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示,截至6月13日,DDR4 8Gb(1G×8)3200颗粒均价飙升至3.775美元,单周涨幅达38.27%,本季度累计涨幅更突破132%。反常的是,DDR4价格竟反超新一代DDR5,形成罕见“价格倒挂”现象,业界直呼“十年未遇”。