超级电容与电池的比较

发布时间:2010-09-6 阅读量:4815 来源: 我爱方案网 作者:

 

相对铅酸电池、镍镉电池、锂离子电池,超级电容具有节能、超长使用寿命、安全、环保、宽温度范围、充电快速、无需人工维护等优点。本文介绍超级电容与其他储能产品的性能比较,例如与各种电池的比较,替代的可能性。

 图1:各种各样的储能产品
图1:各种各样的储能产品

之所以叫超级电容,是因为超级电容的容值都是法拉级的,且可以很快提供一个充放电,这是传统的电容或者电池做不到的。下面介绍了各种产品不同的应用范围,横坐标是能流密度,纵坐标是能量密度,从中可以看到哪个地方是电池的应用范围,哪个地方是传统电容的应用范围,哪一块是超级电容的应用范围。

 图2. 超级电容和其他储能技术的比较
图2. 超级电容和其他储能技术的比较

 

我们知道电池的充放电大概在1小时到10个小时左右,而传统电容是作为滤波使用的,充放电是在0.03秒,但是超级电容就在1秒左右,基本上是从 0.1秒到10秒,这正是汽车比如刹车起动的时候要用的,当然任何的设备比如风能变桨系统,变桨的时候要提供能量也是在这个时间段。超级电容的能流密度和能量密度都非常高。超级电容是用物理的方法储能,电池是用化学反应的方法来储能,所以电池的反应时间会很长,超级电容可以快速的充放电,这是它的根本原因,也是超级电容的性能优势之所在。

传统的储能系统是使用铅酸电池。以风力发电为例,有风时由风力发电机发电,无风时由储能系统供电。当电源断开进行切换时,铅酸电池需要十几秒的反应时间。这时便可由超级电容进行辅助。由于超级电容是将电荷储存起来,可以快速的补充和释放,而电池则需要经过化学反应的方式进行充放电。在这十几秒的时间里,超级电容可以提供短时间的能量,保证电源稳定。超级电容可以工作在在-40℃~65℃之间,可以覆盖PC -20℃~60℃的工作温度范围和电池0℃~50℃的工作温度。超级电容是功率密集元件,但放电时间较短,电池是能量密集型元件,放电时间较长。 

 图3.超级电容与电池的充放电次数比较
图3.超级电容与电池的充放电次数比较

超级电容的应用主要是用作备用电源和提供峰值功率。超级电容用作备用电源时,具有高可靠性、免维护、长寿命和宽工作温度范围的特点。由于超级电容能够进行高功率的充放电,所以可以将火车,城市轻轨的刹车能量储存起来,加速时提供峰值功率,或者可以在吊车起吊时,电动机启动时提供峰值功率。

 图4.超级电容与电池的储能原理比较
图4.超级电容与电池的储能原理比较

如上图4所示,超级电容和电池在储能原理上最大的不同在于超级电容利用的是物理的储能方式而电池利用的是化学的储能方式。同时,超级电容和电池的储能的决定因素也不同。

 

 图5.超级电容与锂离子电池比较
图5.超级电容与锂离子电池比较

超级电容器是功率密集元件(>10kW/L)而锂离子电池是能量密集元件 (~200 Wh/L)。

 图6.电池电压随电池能量的变化
图6.电池电压随电池能量的变化

 图7.超级电容器的放电特性
图7.超级电容器的放电特性
 

超级电容与电池比较,有如下特性:

  a.超低串联等效电阻(LOW ESR),功率密度(Power Density)是锂离子电池的数十倍以上,适合大电流放电,(一枚4.7F电容能释放瞬间电流18A以上)。
b. 超长寿命,充放电大于50万次,是Li-Ion电池的500倍,是Ni-MH和Ni-Cd电池的1000倍,如果对超级电容每天充放电20次,连续使用可达68年。
c. 可以大电流充电,充放电时间短,对充电电路要求简单,无记忆效应。
d. 免维护,可密封。
e.温度范围宽-40℃~+70℃,一般电池是-20℃~60℃。

相关资讯
TP-Link芯片业务战略收缩:WiFi 7研发受阻与全球合规挑战

2025年6月12日,TP-Link外销主体联洲国际(TP-Link Systems)位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员,从通知到离职手续仅用半天完成,涉及算法、验证、设计等核心岗位员工,仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案,远高于中国法定的N+1标准,被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出,此次调整主要针对WiFi前端模块(FEM) 研发线,而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件,其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。

DDR4内存现十年罕见价格倒挂,产业链急备货应对停产危机

2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动,DDR4内存现货价格单日暴涨近8%,创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示,截至6月13日,DDR4 8Gb(1G×8)3200颗粒均价飙升至3.775美元,单周涨幅达38.27%,本季度累计涨幅更突破132%。反常的是,DDR4价格竟反超新一代DDR5,形成罕见“价格倒挂”现象,业界直呼“十年未遇”。

三星面临2nm工艺成本压力,供应链策略或转向中国供应商

全球半导体代工产业正面临先进制程的经济性挑战。三星电子在推进Exynos 2600处理器的2nm GAA工艺量产时,遭遇显著成本压力。据行业信息显示,其原型芯片试产阶段的晶圆制造成本同比增加约40%,当前良率区间为30%-40%,远低于70%的盈亏平衡点。若无法在今年底实现良率突破,Galaxy S26系列的处理器单颗成本将比现行5nm芯片高出约三倍。

OLED显示器面板市场逆势增长,电竞需求与韩系厂商主导2025年新高点

2025年全球OLED显示器面板市场迎来爆发性增长。据TrendForce集邦咨询最新数据,尽管宏观经济承压,但该品类出货量预期从280万片大幅上调至340万片,年增长率由40%升至69%,连续第二年实现三位数级增长(2024年增幅达132%)。这一逆势增长的核心驱动力源于两大因素:电竞市场的强劲需求与韩系面板厂商的战略重心转移。

赋能5G车联!艾为电子发布超低插损双通道车规射频开关解决方案

在汽车智能化、网联化发展势不可挡的时代背景下,稳定、高速的车载通信系统成为刚需。作为国内领先的IC设计企业,艾为电子洞悉市场趋势,依托深厚的射频技术积淀,正式面向全球市场推出两款高性能车规级射频开关产品:AW13612PFDR-Q1 与 AW12022TQNR-Q1。这两款产品严格遵循车规AEC-Q100标准认证,专为应对汽车电子严苛的振动、冲击、宽温度范围(-40℃至105℃)工作环境而设计,工作频率覆盖0.1GHz至5.925GHz,完美适配4G LTE、5G NR、C-V2X等主流车载通信频段。其核心使命是为车载通信模块(如5G T-Box)、智能座舱系统等提供高可靠、低损耗的信号路由解决方案,保障车辆与外界信息的高速、稳定传输。