发布成功
ME8327内部集成了2A/650V的高压功率MOS 管,用于充电器,适配器和LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于75mW 的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补偿功能。该芯片具有欠压保护,过压保护,软启动,逐周期过流保护,所有管脚浮空保护,内置前沿消隐,VDD 电压钳位保护,过温保护等功能,优良的EMI性能和极高的性价比,为电源设计提供了最佳选择。
10.5W产品应用图
图片为过EMC满足能效六级的原理图,原边准谐振模式使整体元器件少,性价比极高
产品PCB图
DEMO板实物图
【ME8327布线及注意事项】
Ø 功率回路尽量短,且与其他回路分开,改善系统EMC
Ø 采样回路尽量短,以防止采样受到干扰,提高系统EFT能力
Ø VDD电容尽量紧贴芯片供电脚与GND脚,提高系统ESD能力
Ø 芯片小信号回路应远离EMI滤波器的磁性元器件,改善电磁兼容性
Ø 为提高系统可靠性,功率器件应降额使用,在最糟情况下,推荐降额系数如下:
电压降额系数为0.85,如芯片Vds电压低于555V(650*0.85)
温度降额系数为0.85,如芯片表面温度低于115度(135*0.85)
输出用普通的S1045或一个普通的SR540并上一个SS34就能有3个点左右的余量(6级),为整体方案提供了优良的性价比。
行业分类 : 照明显示
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