1.方案介绍：
ME2185内部集成有超低Rds(on)的PMOS、NMOS功率管，轻载时芯片工作在PFM模式，确保芯片在宽负载范围内都具有较高的转换效率。芯片采用ESOP8的封装形式，工作频率1M赫兹，外围元件只需要一个2.2uH的电感、几个陶瓷电容和贴片电阻，PCB板占位空间极低。采用ME2185的升压系统，在实现高功率密度输出的同时，却具有傲视群芯的升压转换效率。
2.产品特点：
高达92.5%的转换效率（Iout=2A Vout=5V from Vin=3.3V ）
高达90%的转换效率（Iout=2A Vout=5V from Vin=3.0V ）
保证2.5A的输出电流能力（Vout=5V from Vin=3.3V）
振荡频率1M赫兹
输出电压可调（Vfb=1.25V）
输入电压欠压保护
MOS管限流保护（可外部设定）
过温保护（156℃）
3.应用原理图：
由应用电路可以看出，外围只需要一个电感、几个小型陶瓷电容和贴片电阻，PCB占位空间极低。
4.转换效率图：
5.产品应用：
ME2185应用范围广泛，可为多种便携式手持设备，移动电源平板电脑等。
