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获得项目 “ ¥420.00 PCBLAYOUT设计,可长期合作 ”
获得项目 “ ¥5000.00 产品维护PID调试,上位机串口通信对接,整理电路板 ”
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碳化硅MOSFET凭借其高击穿电场强度、高热导率、高开关频率及低导通损耗等优势,在新能源汽车、光伏逆变器、数据中心电源及工业电机驱动等高功率、高效率应用场景中展现出巨大潜力。
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此次发布的iPhone 17系列或将迎来苹果近十年来最彻底的一次革新——全新机型、颠覆设计、全系高刷、自研基带、5000mAh电池……亮点密集,堪称“王炸”级别。
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相较于传统的硅(Si)基IGBT和MOSFET,SiC器件在材料层面实现了质的飞跃。其禁带宽度是硅的3倍,击穿电场强度是硅的10倍,热导率也远超硅材料。
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