突发！三星HBM芯片未通过英伟达认证

5月24日消息，据相关媒体报道，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达（Nvidia）的测试，三位知情人士表示，原因是热量和功耗问题。这些细微的技术参数，在高速运行的游戏和数据中心应用中，可能会放大成性能瓶颈，从而影响到整体的用户体验。

报道称，这些问题影响到了三星的 HBM3 芯片，该芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 标准。问题还影响了第五代 HBM3E 芯片。

三星在一份声明中表示，HBM 是一款定制内存产品，需要“根据客户需求进行优化流程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。

HBM，即高带宽内存，是一种新型的三维堆叠动态随机存取内存，具有更高的传输速率和更低的功耗，其中芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗，有助于处理复杂 AI 应用程序产生的大量数据。随着生成式 AI 热潮对复杂 GPU 的需求飙升，对HBM的需求也在飙升。而三星，作为全球半导体巨头，其HBM芯片的性能和质量一直是行业的标杆。

三位消息人士称，自去年以来，三星一直试图通过英伟达的HBM3和HBM3E测试。据其中两人透露，三星8层和12层HBM3E芯片最近一次失败的测试结果于4月得出。

目前，尚不清楚这些问题是否可以轻松解决，但三位消息人士表示，未能满足英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧，即三星可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。

其中两人听取了三星官员对此事的简报，由于信息是机密的，因此不愿透露姓名。

三星的竞争对手SK海力士是英伟达HBM芯片的主要供应商，自2022年6月以来一直在供应HBM3。该公司还于3月下旬开始向一家不愿透露姓名的客户供应HBM3E。消息人士称，货物运往英伟达。

美光也表示将向英伟达提供HBM3E。

分析师表示，此举似乎凸显了三星对其在HBM中落后地位的担忧，三星本周更换了其半导体部门的负责人，称需要一位新高层人员来应对影响该行业的“危机”。

市场一直对三星作为全球最大的存储芯片制造商寄予厚望，认为三星将很快通过英伟达的测试，但像HBM这样的专业产品需要一些时间才能满足客户的性能评估，KB Securities研究主管Jeff Kim表示。

尽管三星尚未成为英伟达的HBM3供应商，但它为AMD等客户提供了产品，并计划在第二季度开始量产HBM3E芯片。三星在给路透社的声明中表示，其产品时间表正在按计划进行。

分析师还表示，SK海力士在2013年开发了第一款HBM芯片，在过去十年中，在HBM研发上花费的时间和资源远远超过三星，这是其技术优势的原因。

三星在声明中表示，它在2015年开发了第一个用于高性能计算的商用HBM解决方案，并从那时起继续投资HBM。

消息人士还表示，英伟达和AMD等GPU制造商希望三星完善其HBM芯片，以便他们能够拥有更多供应商选择并削弱SK海力士的定价能力。

在 3 月份的 Nvidia AI 会议上，英伟达首席执行官黄仁勋在三星展台上签署了一张标语牌，上面写着“Jensen 批准”三星的12层HBM3E，这突显了该公司对三星供应这些芯片的前景的热情。

根据研究公司Trendforce的数据，HBM3E芯片很可能成为今年市场上的主流HBM产品，出货量集中在2024年下半年。SK海力士估计，到2027年，对HBM存储芯片的需求总体上可能以每年82%的速度增长。