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美高森美新一代工业温度碳化硅标准功率模块

我爱方案网| 碳化硅,功率模块| 2013-01-25
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【导读】与硅材料相比,SiC技术提供了更高的击穿场强度和更好的热传导率,从而实现了参数性能特性改进,包括零反向恢复、不受温度影响的特性、更高的工作电压和更高的工作温度,以实现全新的性能、效率和可靠性水平。

美高森美公司宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide,SiC)标准功率模块,它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。该功率模块系列还提供了更宽的温度范围,以期满足下一代功率转换系统对更高的功率密度、工作频率和效率的要求。
    
美高森美功率模块产品集团总经理Philippe Dupin称:“我们应用在功率半导体集成和封装领域的广泛的专业技术,提供下一代碳化硅功率模块系列,这些器件具有出色的性能、可靠性和综合质量水平。我们的新模块还使得设计人员能够缩减系统尺寸和重量,同时降低总体系统成本。”

关于新的SiC模块

美高森美新的工业温度SiC功率模块具有多种电路拓扑,并且集成在较小的封装内。新模块产品系列中的大多数产品使用氮化铝(aluminum nitride,AIN)衬底,来实现与散热器的隔离,从而改善了至散热系统的热传递。
    
其它特性包括高速开关、低开关损耗、低输入电容、低驱动要求、小尺寸和最小寄生电感,能够实现高频率、高性能、高密度和节能的电力系统。
    
新工业温度模块系列包括以下参数和器件:

1200V升压斩波电路(boost chopper),额定电流为50至100A

1200V相臂 (phase leg) 结构,额定电流为40至200A

600V中性点箝位结构,专用于太阳能或UPS应用的三级逆变器,额定电流为20至160A

中性点箝位结构,600V/1200V混合电压,额定电流为20至50A

美高森美的SiC产品组合包括分立和模块封装的肖特基二极管,以及标准和定制配置的采用SiC肖特基二极管和IGBT或MOSFET晶体管组合的功率模块。

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