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英飞凌新JFET器件:让太阳能逆变器的能效达到更高水平

我爱方案网| 英飞凌,JFET逆变器,太阳能| 2012-09-05
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导读:在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上,英飞凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列,立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。

 英飞凌科技股份公司高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出:“英飞凌已针对需要高效电源管理的市场推出了多项突破性技术。CoolSiCTM 也是一种革命性的创新技术,可将太阳能逆变器的性能提升至新的水平。凭借新型SiC JFET技术,我们可以帮助客户开发出更好的气候保护解决方案。”

与IGBT相比,新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗,在不牺牲系统总体效率的情况下,可以支持更高的开关频率。这为使用更小的无源元件创造了条件,其结果是缩小客户设计的产品的尺寸,降低其重量,并压缩系统成本。换言之,设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下,实现更高的输出功率。

为了确保常通型JFET技术的安全性和易用性,英飞凌开发出一种被称为直驱技术的概念。在这一概念中,JFET与外部低压MOSFET和专用的驱动芯片组合在一起,确保了安全的系统启动,以及快速可控的开关。

CoolSiCTM JFET集成了一个体二极管,其开关性能可媲美外置SiC肖特基势垒二极管。这种组合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。
 

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